Shin-Etsu Chemical gaat zijn QST® substraatactiviteiten verder uitbreiden voor toepassing in GaN-voedingsapparaten

Gericht op het bijdragen aan de oplossing van sociale problemen

TOKIO–(BUSINESS WIRE)– Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (hoofdkantoor: Tokio; president: Yasuhiko Saitoh) heeft vastgesteld dat QST® (Qromis Substrate Technology)-substraat een onmisbaar materiaal is voor de sociale implementatie van krachtige, energiezuinige GaN (galliumnitride) voedingsapparaten. Het bedrijf zal de ontwikkeling en het op de markt brengen van deze producten bevorderen.

Omdat het QST® substraat is ontworpen met dezelfde thermische uitzettingscoëfficiënt (CTE) als GaN, kan kromtrekken en barsten van de GaN epitaxiale laag worden voorkomen, met als resultaat een epitaxiale groei van GaN met een grote diameter en een dikte van hoge kwaliteit.

Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal, die als enige rechtsgeldig is.

Bekijk het oorspronkelijke bericht op businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20230904910875/nl/

Contacts

Voor vragen over deze zaak kunt u contact opnemen met:
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

Public Relations Dept.

Tetsuya Koishikawa

Tel: 03-6812-2340, of van buiten Japan: 81-3-6812-2340

Fax: 03-6812-2341, of van buiten Japan: 81-3-6812-2341

E-mail: sec-pr@shinetsu.jp
www.shinetsu.co.jp