Shin-Etsu Chemical ontwikkelt een QSTTM-substraat voor 300-mm GaN

TOKIO–(BUSINESS WIRE)– Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (TOKIO: 4063) (hoofdkantoor: Tokio; voorzitter: Yasuhiko Saitoh; hierna aangeduid met “Shin-Etsu Chemical”) heeft een 300-mm (12-inch) QST^TM-substraat gecreëerd, een substraat specifiek voor epitaxiale groei van GaN, en begon onlangs met het leveren van monsters.

Shin-Etsu Chemical heeft 150-mm (6-inch) en 200-mm (8-inch) QST^TM-substraten en GaN op QST^TM epitaxiale substraten van elke diameter verkocht. Ondertussen werkte het bedrijf verder om de diameter nog meer te vergroten als antwoord op sterke vraag in die zin vanwege de klanten, en slaagde erin om een 300-mm (12-inch) QST^TM-substraat te ontwikkelen. Fabrikanten van GaN-apparatuur kunnen geen voordeel halen uit het vergroten van de diameter van materialen wegens gebrek aan substraat met grote diameter geschikt voor groei van GaN, in weerwil van het feit dat zij de bestaande Si-productielijn voor GaN kunnen gebruiken.

Deze bekendmaking is officieel geldend in de originele brontaal. Vertalingen zijn slechts als leeshulp bedoeld en moeten worden vergeleken met de tekst in de brontaal, die als enige rechtsgeldig is.

Bekijk het oorspronkelijke bericht op businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20240904730859/nl/

Contacts

Voor vragen over dit onderwerp neemt u contact op met:
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

PR-afdeling

Tetsuya Koishikawa

Tel.: 03-6812-2340, of van buiten Japan: 81-3-6812-2340

Fax: 03-6812-2341, of van buiten Japan: 81-3-6812-2341

E-mail: sec-pr@shinetsu.jp
www.shinetsu.co.jp